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“我们全球半导体集团研究将光刻胶通常分为两种，”
“即正胶和负胶”
“正性光刻胶也就是所谓的正胶”
“英文名字我们叫做他positive photoresist”
“他是曝光部分溶于显影液”
“而未曝光部分不溶于显影液”
“这样一来显影后衬底上剩余的光刻胶图形与掩膜板上的目标图形相同”
“负性光刻胶我们叫做负胶”
“英文名字我们起名叫做negative photoresist”
“他在光刻机的生产中主要作用就是曝光部分不溶于显影液”
“而未曝光部分溶于显影液”
“显影后衬底上剩余的光刻胶图形与掩膜板上的目标图形为互补关系”
“因此我们研究发现对于正胶来说”
“光刻完成后”
“需要对没有光刻胶保护的基底部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶”
“这样就可以实现了半导体器件在基底表面的一步构建过程”
“张成先生没想到你们全球半导体集团在光刻机上有着这么深的研究”
“在今天的半导体行业，你们走在最前面了”
“你们很了不起啊”
“麦斯先生客气了”
“其实光刻机这一块我们也是有着很多分类的”
“分类?”
“是的麦斯先生”
“张成先生我没有想到你们在这方面也是有着这样多个类型的研究的”
“张成先生你方便给我们介绍一下么？”
“可以的，麦斯先生你是客人，这个要求我们绝对可以满足你的”
“谢谢张成先生的心意”
“不客气麦斯先生”
“我们全球半导体集团将光刻机根据用途的不同”
“我们分为用于生产芯片、用于封装和用于LEd制造等”
“我们根据光源的不同”
“可分为紫外光源也就是UV”
“深紫外光源也就是dUV”
“极紫外光源也就是EUV”
“光源的波长影响光刻机的工艺”
“像极紫外光刻机”
“我们选取了新的方案来进一步提供更短波长的光源”
“全球半导体集团目前主要采用的办法是将准分子激光照射在锡滴液发生器上，激发出13.5nm的光子，作为光刻机光源”
“在光刻机的操作上我们根据操作方式的不同”
“我们再次将光刻机分为”
“接触式光刻”
“直写式光刻”
“投影式光刻”
“接触式光刻接触式光刻掩膜板直接与光刻胶层接触”
“这种光刻机所曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单”
“我们还根据施加力量的方式，接触式不同又将光刻机进行了分类”
“软接触”
“硬接触”
“真空接触”
“其中软接触就是把基片通过托盘吸附住”
“就是类似于匀胶机的基片放置方式”
“掩膜盖在基片上面”
“而硬接触就是将基片通过一个气压我们采用的是氮气”
“往上顶”
“知道氮气体与掩膜板接触”
“这里的真空接触就是在掩膜板和基片中间抽气，使它们更加好地贴合”
“这里面他的特点就是”
“光刻胶污染掩膜板，掩膜板
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