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容易损坏，使用寿命很短”
“目前我们实验生产在最好的条件下也是只能使用5～25次的”
“他非常容易出现累积缺陷”
“接近式光刻接近式光刻机”
“这是一种掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙”
“一般大约为2.5～25 微米”
“这种光刻机可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤”
“他可以使的掩膜和光刻胶基底能耐久使用”
“使的掩膜寿命长”
“一般光刻机的掩膜的使用寿命可以提高到10倍以上”
“图形缺陷少”
“目前接近式的工艺我们在光刻工艺中应用不是很广范”
“投影式光刻投影式光刻”
“这是一种类似于胶片摄影，通过按下快门光线通过镜头投射到胶卷上并曝光”
“之后通过洗照片”
“即将胶卷在显影液中浸泡，得到图像”
“投影式光刻因其高效率、无损伤的优点，是集成电路主流光刻技术”
“据我们所知目前贵国的研发机构目前还是在讨论研发扫描投影光刻吧？”
麦斯还没有说什么呢。
队伍中一个中年男人开口说话了。
“是的张成先生”
“目前我们的研究机构就是正在理论这种你说的光刻机技术”
“我们的理论就是这种光刻机中掩膜版与图案的大小是1:1”
“也就是掩膜版上的尺寸与光刻胶上的图案尺寸相同”
“我们之所以称之为扫描”
“我们就是想的是透过一条细长的狭缝射在基底上”
“来大道曝光”
“一般是一次曝光数行，基底需要挪动位置，使光能将所有的区域都曝光”
“我们设想的工艺节点为180 毫米到130 毫米”
“在掩膜板上我们想按照掩膜板1:1来”
“进行全尺寸曝光”
“我们还有一种设想就是一种步进重复投影光刻”
“我们工程师想着是使用透镜系统将掩模上的图案在小面积上逐个投影到基底上”
“每次曝光一个小区域后，基底会移动到下一个位置，直到整个基片都被曝光”
“一个曝光区域就是一个shot”
“工程师们考虑到它是通过透镜系统投影”
“所以我们计划使用365nm紫外光时使用的是5倍版”
“也就是掩膜版上图形尺寸是实际光刻胶上的尺寸的5倍”
“所以在掩膜板上我们设想着可以设计更复杂的图形”
“但是这种方式就会增加了棱镜系统的制作难度”
“哈哈这位先生”
“我想你们没有考虑过一种扫描步进投影光刻机”
“扫描步进投影光刻?”
“是的这位先生”
“在高端的半导体制造中一般会用到此种机型”
“他主要是用于0.18 毫米工艺”
“这种光刻机在起曝光过程中”
“掩膜版在一个方向上移动，同时晶圆在与其垂直的方向上同步移动”
“这种光刻机的特点就是增大了每次曝光的视场”
“提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性”
“当然正是这些特点，因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求”
“这种通常比其他曝光机具有更高的生产效率，设计和制造都非常复杂”
“那么他的购买和维护成
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