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(half-pitch)的尺寸，是衡量光刻机性能最重要的参数之一。其中，是一个常数，在不同的光刻方案中不太一致，λ就是输入光源的波长， NA是光刻机光学系统的数值孔径。对于常数，目前荷兰ASmL公司的dUV光刻机最高是做到了0.25附近，而EUV大概还是在0.35附近。输入光源的波长越小，实际可以光刻的工艺也就越小。对于数值孔径NA来说，对于非浸润式dUV方案这个数值的上限一般是1.0，浸润式dUV方案则是1.35附近。相比于非浸润式，浸润式光刻机在光刻时额外使用了液体来进行折射，一般所使用的都是纯水，折射率约为1.33，这也是浸润式的NA要大一些的原因。套刻精度套刻精度（overlay accuracy）: 掩膜板mask）和基底（wafer）图形的对准精度。基本含义是指前后两道光刻工序之间彼此图形的对准精度，如果对准的偏差过大，就会直接影响产品的良率。曝光宽容度曝光宽容度（Exposure Latitude）:曝光宽容度也被称为曝光裕度，是工艺窗口的重要参数之一，光学曝光系统可以形成符合设计版图要求的曝光能量范围，通常使用曝光结果检测的cd值的变化量在±10%范围内的曝光能量选择范围来定义。如果光刻胶在偏离最佳的曝光剂量的情况下，曝光图形的线宽变化比较小，说明该光刻胶有较大的曝光宽容度。通常曝光宽容度越大，显影宽容度也越大。曝光容忍度和投影图像对比度紧密联系。投影图像的特征尺寸若具有较差的图像对比度，将会对剂量变化过于敏感。社会影