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举来形容毫不夸张。
胡正明很欣赏周新，不仅仅是因为那封邮件，也是因为对方在沟通中表现出来的坦诚，以及这口流利的英语。
甚至在一些语气词里都和他一样。
周新在阿美利肯期间，主要沟通对象之一就是胡正明，口语主要就是在阿美利肯那几年突飞猛进的。
口语表达上二人当然会有相似之处。
周新在电话那头笑了笑：“好。”
“moSFEt模型可以将 Em与所有器件参数和偏置电压相关联，描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途，你是如何想到通过电路仿真的预测性来对moSFEt进行互连建模？”
跨越数千公里的电话线，两头不仅仅是地理上的距离，更是时间上的距离。
周新发给胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的论文，发表在2000年的IEEE集成电路会议论文集上，在胡正明超过九百篇论文里被引用次数排名第八。
虽然排名不是很高，但是却起到了承上启下的作用。
胡正明最大的贡献是，将半导体的2d结构，研发优化出了3d结构，也就是FinFEt。
从 1960年到 2010年左右，基本的平面(2d) moSFEt结构一直保持不变，直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能。
胡正明在加州大学伯克利分校的实验室早在1995年就看到了这一点。
FinFEt作为第一个 3d moSFEt，将扁平而宽的晶体管结构变为高而窄的晶体管结构。好处是在更小的占地面积内获得更好的性能，就像在拥挤的城市中多层建筑相对于单层建筑的优势一样。
FinFEt也就是所谓的薄体（thin-body）moSFEt，这一概念继续指导新设备的开发。
它源于这样一种认识，即电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制。
FinFEt牢记这种薄体概念。该器件的主体是垂直的硅鳍片，被氧化物绝缘体和栅极金属覆盖，在强栅极控制范围之外没有留下任何硅。FinFEt将漏电流降低了几个数量级，并降低了晶体管工作电压。它还指出了进一步改进的路径：进一步降低厚度。
而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制，这一概念，正是moSFEt进行互连建模在实验室进行复现后发现的。
周新不可能告诉胡正明，这是你自己发现的。
不过由于周新对于胡正明最重要的论文，都做过精读，对于当时是如何思考，有自己的分析。
这些分析和二十年后的老胡交流过程中，也获得了对方的认可。