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moSFEt可以说是最常见的晶体管，几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。
moSFEt多种多样，但是基本都能够分成两类，增强型和耗尽型。
然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。
moSFEt是平面晶体管，而胡正明发明的FinFEt架构则是3d的晶体管，3d晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。
简单来说FinFEt能以更低的成本实现更高的性能指标。finFEt的设计主要为突破25nm制程，解决mosFEt由于制程缩小伴随的隧穿效应。
当然从FinFEt这个架构2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台积电作为首席专家，台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的FinFEt晶体管。
而一直到了2012年商用22nm的FinFEt架构的晶体管才面世。
这是一个非常漫长的过程。
周新要讲的是moSFEt架构的某一种优化。
带有些许的FinFEt架构思想在其中。
但是顺着这条路去思考，反而会走上弯路。
“......我们可以发现当一端没有电压时，通道会显示最大电导。当两端电压同为正或同为负的时候，通道的电导率会降低。
我们尝试关闭不导通的区域，让moSFEt在该区域工作的时候，把欧姆区作为放大器。
在饱和区moSFEt的IdS是恒定的，尽管VdS增加并且一旦VdS超过夹断电压Vp的值就会发生。
在这种情况下，该设备将像一个闭合的开关一样工作，饱和的IdS值流过该开关。
因此，无论何时需要moSFEt执行开关操作，都会选择该工作区域......
这样一来我们就能够让moSFEt在较低电压下以更高效率运行。”
周新的论文讲完后台下响起了礼貌的掌声。
因为周新的内容是纯粹的模型，也就是从理论层面讲述一个更加优秀的moSFEt架构，而缺乏实验数据。
很多东西模型设计的很完美，不代表在实验室复刻出来真的有这么完美。
现实世界是无法像理论推演一样完美的。
不过单纯从内容上来说，周新的moSFEt架构给了在场的研究人员们很多思考。
后续一些关于论文本身内容的提问，周新也回答的挑不出任何毛病。
在提问环节结束后，在场的掌声要真诚很多。
论文本身能够证明一部分，提问环节能够进一步验证周新自身的实力。
大家都是研究人员，财富和资产只是附加项，你本身在科研方面的实力才会让在场的研究人员们产生亲近的情绪。
这小子和我们是一路人。
“非常不错，如果你不是我的学生，我会以为你是来开过很多次的老手。
你表现得很成熟，以后多来几次基本上大家都熟悉你了，后续你想做点什么，认识这帮人对你来说很有好处。
也许他们不会跟你回华国，但是你可以把研发中心设在硅谷或者欧罗巴。
这对你来说再简单不过了。”胡正明在台下等周新下来之后边鼓掌边用中文说道。
“后续我会带你挨个去认识，我觉得在集成电路领域研究方向比较有前景的一些科研人员。
你现在是不是还想回华国搞集成电路领域的创业？”胡正明接着问道。
人的观念是不停在变的。
周新在阿美利肯已经实现了财富自由，胡正明担心对方想法变了，所以特意多问了一句。
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